据媒体今日（12月23日）报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅MOSFET已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建SiC产线，预计到明年有自己的产线。
据了解，比亚迪半导体以IGBT和SiC为核心，拥有IDM功率半导体产业，包括芯片设计、晶圆制造、模块封装测试以及整车应用。目前，比亚迪已研发出SiCMOSFET。比亚迪旗舰车型汉EV四驱版正是国内首款批量搭载SicMOSFET组件的车型。按照比亚迪公布的计划，预计到年，其旗下电动车将实现碳化硅功率半导体对IGBT的全面替代，整车性能在现有基础上再提升10％。
比亚迪半导体宣布自建SiC产线或许与其SiC产能不足有关。9月17日，比亚迪半导体功率半导体产品中心芯片研发总监吴海平在接受专访时回应称，目前，SiC的产能仍在爬坡，而汉EV后驱版的预定量非常多，远超企业预期，因此造成供货赶不上需求的问题。但他也表示，从第四季度开始，SiC产能将能持续满足汉EV四驱版的销售需求。”
比亚迪透露，在比亚迪市场化发展的战略布局下，比亚迪半导体作为中国最大的车规级IGBT厂商，仅用42天即成功引入红杉资本中国基金、中金资本、国投创新等知名投资机构，迈出了比亚迪市场化战略布局的第一步。后续比亚迪将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作，并着手培育更多具有市场竞争力的子公司实现市场化运营，不断提升公司整体价值。
目前，比亚迪拥有包含芯片设计、晶圆制造、封装测试和下游应用在内的一体化经营全产业链。比亚迪表示，经过十余年的研发积累和于新能源汽车领域的规模化应用，比亚迪半导体已成为国内自主可控的车规级IGBT领导厂商。此外，比亚迪半导体也拥有多年的研发积累、充足的技术储备和丰富的产品类型，与来自汽车、消费和工业领域的客户建立了长期紧密的业务联系。
比亚迪半导体表示，将以车规级半导体为核心，同步推动工业、消费等领域的半导体发展，致力于成长为高效、智能、集成的新型半导体供应商。
而除比亚迪半导体之外，近期，国内其他半导体龙头布局SiC的消息不断。
此前12月17日，斯达半导发布关于投资建设全碳化硅功率模组产业化项目的公告称，公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，本项目计划总投资22,万元，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心，项目将按照市场需求逐步投入。；同月，三安集成宣布已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。
另外，应用端，电动车龙头公司也已经走在了前列。特斯拉此前在Model3率先采用以24个SIC-MOSFET为功率模块的逆变器。
资料显示，目前SiC最大的应用市场在新能源汽车的功率控制单元（PCU）、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。而根据Omdia预计，年全球功率半导体市场规模约为亿美元，至年将突破亿美元。
安信证券12月21日发布研报称，新能源汽车及光伏加速普及，SiC迎来大发展机遇，SiC基功率器件有望取代Si基，超亿美元市场待开拓。中泰证券也在12月17日发布研报，预计年汽车领域SIC有望进入放量元年。
具体到投资机会，中泰证券表示，产业链以欧美日为主，国产替代空间较大。国企业在衬底、外延和器件方面均有所布局，但是体量均较小。国内SIC衬底材料厂商中，已上市公司包括：露笑科技、天科合达，器件商斯达半导、华润微、扬杰科技等。
安信证券则称，国内基本已实现SiC衬底、外延、器件设计、制造、封测、生产设备等全产业链覆盖，设备、材料厂商具备先发优势，有望率先受益。该机构重点推荐晶盛机电、建议